Die Arbeitsgruppe „Dünne Schichten und Grenzflächen“ befasst sich mit der Herstellung und Charakterisierung von ultradünnen Schichten mit einer Dicke von nur wenigen atomaren Lagen. Hauptsächlich untersuchen wir hierbei Kombinationen von Materialien mit sehr unterschiedlichen Eigenschaften, z.B. Isolator-Halbleiter- oder Oxid-Metall-Nanostrukturen.
Ultradünne Schichten werden in der Regel mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) unter Ultrahochvakuumbedingungen (UHV) hergestellt. Die Materialien werden mit Hilfe von mikroskopischen Messverfahren (Rastersondenmikroskopie: STM, AFM, FFM), beugenden Messverfahren (hochauflösende Elektronen- bzw. Röntgenbeugung: SPA-LEED, GIXRD, XRR) und spektroskopischen Messverfahren (Photoelektronen- bzw. Augerelektronenspektroskopie: XPS, AES) charakterisiert. >>>
In den Lehrveranstaltungen werden einerseits Aspekte der Angewandten Physik aus den Themenkreisen der Physik der Oberflächen, Kristalldefekte, Halbleiter und Halbleiterbauelemente vermittelt. Andererseits werden ebenso grundlegende Lehrveranstaltungen der Experimentalphysik, sowie vertiefende Lehrveranstaltungen der Molekül- und Festkörperphysik angeboten. >>>